2023年1月5日，第六屆博鰲企業(yè)論壇在海南博鰲隆重舉行。本次會議匯聚部委領導、知名專家學者、500強企業(yè)領袖和優(yōu)秀企業(yè)家代表等各界精英，以“再出發(fā) 向高質量發(fā)展邁進”的主題，交流發(fā)展經(jīng)驗，探索可行路徑，提振發(fā)展信心，為推動中國經(jīng)濟的高質量發(fā)展和中國式現(xiàn)代化貢獻智慧與力量。在專家報告會上，更聚焦了“企業(yè)碳中和戰(zhàn)略對企業(yè)競爭力的影響”。

宏光半導體有限公司憑借強大的企業(yè)實力與行業(yè)影響力，從眾多企業(yè)中脫穎而出，榮獲大會“2022年度（行業(yè)）最具投資價值企業(yè)”獎項。

宏光半導體的使命，便是以快充來實現(xiàn)碳中和的未來

宏光半導體有限公司(“宏光”)是香港主板上市公司，從事半導體產(chǎn)業(yè)逾十年的宏光半，近年主力發(fā)展新一代半導體氮化鎵（GaN）芯?、GaN器件及其相關應用產(chǎn)品的業(yè)務。隨著 5G、電動車時代來臨，全球對高效能、低耗能的第三代半導體需求日增。采用 GaN 設計功率芯片比硅功率芯片的碳足跡低10倍以上，因此高能效、低能耗的第三代半導體成為時代下的新寵兒。宏光積極與多間世界GaN頂尖龍頭企業(yè)合作，并引入最強華人科學家團隊陣容，矢志成為一間集芯片設計、制造生產(chǎn)及銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈半導體整合設備生產(chǎn)模式（「IDM」）公司，以響應國家提高半導體自給率的號召，并為地球環(huán)保出一分力。并憑借專家團體卓越的技術，宏光半導體已打破多項記錄，僅花3個月成功生產(chǎn)GaN芯片外延片。超群的實力更吸引力重量級投資者的青睞，其中包括世界光伏領軍企業(yè)協(xié)鑫集團創(chuàng)辦人-“世界硅王”之稱的朱共山及其家族信托，早前雙方已達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

宏光半導體在徐州設有逾7,000平方米的廠房，并招攬多名半導體領域專家負責管理工廠和研發(fā)項目，當中包括GaN半導體業(yè)務核心專家陳振博士、GaN HEMT器件設計和工藝制造的核心專家Thomas Hu博士，以及在半導體行業(yè)及晶圓代工技術及管理方面有豐富經(jīng)驗的呂瑞霖和閔軍輝等，為宏光半導體的產(chǎn)品營運提供雄厚的技術支持。

策略性投資世界GaN龍頭企業(yè)

有見GaN行業(yè)的龐大潛力，集團積極與世界GaN龍頭企業(yè)合作，先后進行策略性投資，包括成為從事高功率、高規(guī)格的GaN芯片為主，是專注高電壓電動車領域的領導者 - 以色列 GaN 相關產(chǎn)品開發(fā)商VisIC Technologies Ltd 的大股東之一，并持有該企業(yè)21.86%股權; 及投資以中功率芯片為主、專注民用產(chǎn)品領域如手機快速充電的加拿大GaN技術龍頭公司GaN Systems Inc.。當中，Gan Systems 建議宏光半導體成為其代工合作伙伴并訂立特許協(xié)議，讓集團日后可采用GaN Systems的技術來制造半導體元件。宏光半導體相信，有關合作將能為其帶來協(xié)同效應，并可進一步推動其實現(xiàn)成為IDM領先企業(yè)的宏愿。

破紀錄僅花3個月成功生產(chǎn)芯片外延片

在徐州廠房開始運作以及多方面的努力下，宏光半導體已打破多項記錄，僅花短短3個月時間便于今年第四季成功生產(chǎn)出兩款分別以硅襯底，以及以藍寶石為襯底的GaN外延片，較大型企業(yè)一般花一至兩年的時間短，而這項紀錄在內(nèi)地、國際也是絕無僅有。集團預料2023年第二季可展開晶圓試產(chǎn)，2024年初前正式投產(chǎn)芯片，冀首年的生產(chǎn)量能達5000萬粒芯片和2萬塊外延片。

集團積極布局GaN產(chǎn)業(yè)鏈吸引了有“世界硅王”美譽的協(xié)鑫科技主席朱共山先成成為投資人。朱共山在新能源領域具有強大的影響力，可協(xié)調新能源產(chǎn)業(yè)資源，雙方更建立深度合作關系，計劃共同布局GaN芯片在新能源領域的應用、開發(fā)基于硅基功率芯片及第三代半導體之應用產(chǎn)品 ，并且，協(xié)鑫集團基于其在新能源產(chǎn)業(yè)之領先地位及全面布局，協(xié)助宏光半導體及合營公司進入新能源產(chǎn)業(yè)供應鏈市場。為宏光半導體后續(xù)吸引投資增添新動能。

圖片說明：宏光半導體有限公司(06908)，近年主力發(fā)展新?代半導體氮化鎵（GaN）芯?業(yè)務，并已取得初步成果。

圖片說明：650V 100A GaN芯片

圖片說明：宏光僅花三個月成功生產(chǎn)出第一塊以硅襯底(左)及以藍寶石襯底(加右)的GaN外延片。